Forum-Backa Palanka
Would you like to react to this message? Create an account in a few clicks or log in to continue.
Forum-Backa Palanka


 
PrijemPrijem  PortalliPortalli  GalerijaGalerija  TražiTraži  Latest imagesLatest images  Registruj seRegistruj se  Pristupi  

 

 Sve o RAM memoriji ! ! !

Ići dole 
AutorPoruka
Admin
Admin
Admin
Admin


Broj poruka : 276
Godina : 31
Localisation : Backa Palanka
Datum upisa : 23.10.2006

Sve o RAM memoriji ! ! ! Empty
PočaljiNaslov: Sve o RAM memoriji ! ! !   Sve o RAM memoriji ! ! ! EmptyPet Nov 17, 2006 12:00 pm

Evo jedne zvanične vesti: memorija DDR400 je sada i formalni standard. Sada, kada je komitet Jedec doneo odluku, proizvodjači RAM memorija i matičnih ploča konačno imaju smernice za inte¬gra¬ci¬ju sistema. DDR400, poznata i kao PC3200 RAM memorija, imala je dosta nevolja u ve¬zi sa pi¬tanjima nekompatibilnosti i nedostatka poboljšanja performanse. Bez ikakvog zva¬nič¬nog stan¬dar¬da, svaki od pokušaja da se pronadje savršena saglasnost izmedju RAM memorije i matične ploče, veoma je ličio na igranje pokera vezanih očiju.

Treba priznati da je brz rad sa DDR 400 RAM memorijom još uvek u problemima. Starija tehno¬lo¬gija DDR-1 ponaša se u uslovima memorijskog generatora takta od 400 MHz slično kao bik prema zi¬du od crvenih cigala. Jednom kada se objavi, standard DDR-2 će obezbediti potpuno novu konstrukciju RAM čipova, promene rasporeda na ploči i smanjen nivo napona signala - a to sve znači da će biti moguće brzine ge¬neratora takta do 667 MHz. Ipak, ne očekujte novu tehnologiju pre kraja 2003. godine. Do tada, možete da optimizujete svoja podešavanja BIOS-a, kako biste ipak malo "zauzdali" DDR400 RAM memoriju koju imate, ili da biste rešili pitanja stabilnosti.

Stariji sistemi takodje mogu dosta da dobiju sa pojavom novih modula. Čak iako ne možete da radite sa memorijskim modulima DDR400 do njihove najveće frekvencije memorijske magistrale od 400 MHz, ipak treba da ste u stanju da podesite vremenske parametre kako biste maksimizovali performansu na manjim br¬zi¬nama generatora takta. Brži memorijski moduli su idealni za ovu namenu. U većem broju slu¬ča¬jeva, smanjivanje kašnjenja CAS ili RAS-do-CAS će ubrzati vaš sistem više od podešavanja sa¬me memorijske magistrale. U ovom članku ćemo objasniti koncepte i tehnologije vremenskog po¬dešavanja memorije, a daćemo i neke savete kako da se to uradi. Te informacije se primenjuju i na standarde RAM memorije, kao što su DDR333 i DDR266, što vam dozvoljava da po¬de¬ša¬va¬te gotovo svaki sistem na koji naidjete.

Podešavajući moduli

Slika 1: Brzine generatora takta i vremenski signali mogu da budu br¬ži kod modula koji se prisilno ubrzavaju. Na primer, fir¬ma Kingston proizvodi module PC3500 za frekvencije do 433 MHz.

Možete da počnete ovaj posao sa specijalnim po¬de¬ša¬vajućim modulima koji prevazilaze standard DDR400 i nu¬de posebno visoka podešavanja za brzine generatore tak¬ta i vremenske signale. Ovakve module koje pro¬iz¬vode firme Corsair, Geil, King¬ston, Mushkin i druge, pod nazivima kao što su PC3500 ili PC3700. Mada takvi "standardi" zvanično ne postoje, njihovi nazivi ukazuju da ti moduli mogu da se prislino ubrzavaju.

Medjutim, DDR RAM memorija zaista ne može da se razmahne sa svim svojim mogućnostima, dok se ne ugradi u dvokanalne matične ploče koje sabiraju memorijske propusne opsege dva mo¬du¬la DDR. Takve ploče imaju skupove čipova Nvidia nForce 2 za centralne procesorske jedinice firme AMD, ili Intel 7205 (i, u doglednoj budućnosti, 865 i 875), za Intelove procesore.

Postoji tu i jedna začkoljica - naime, morate uvek da imate dva memorijska modula. BIOS često koči vre¬men¬ske signale RAM memorije kako bi sistem ostao stabilan, a baš tu optimizacija najviše do¬la¬zi do izražaja. U stvari, proizvodjači RAM memorija, kao što su Corsair i Geil, čak su prodavali upa¬rene memorijske module, kao komplete posebno namenjene dvokanalnim sistemima.

Slika 2: Proizvodjači, kao što je Corsair, nude već uparene memorijske module, optimizovane za ugradnju u dvokanalne matične ploče.

Podešavanje RAM memorije

Iskušenje koje je prirodno kada se radi sa bržim modulima RAM memorije je da zabravite ge¬ne¬ra¬tor takta memorijske magistrale ako imate stariji sistem. Na primer, možete da ugradite me¬mo¬ri¬ju DDR400 u matičnu ploču sa skupovima čipova VIA KT333 ili KT400 za centralne pro¬ce¬sor¬ske jedinice firme AMD. Mada ti skupovi čipova zvanično ne podržavaju novi standard RAM me¬morije, vi ipak možete da pronadjete opcije za podešavanje u BIOS menijima koje će podići br¬zinu generatora takta sa nivoa DDR333 na nivo DDR400.

Medjutim, ako je sistem nestabilan sa memorijom taktovanom na 400 MHz, možete odmah da za¬¬boravite na fino podešavanje frekvencije. Memorijski generator takta pomera se paralelno sa ge¬¬neratorom takta čeone magistrale (front side bus) i može da se podešava samo u velikim inkrementima, kao što je na primer sa DDR333 na DDR400. Samo podešavanje se normalno vrši "štimovanjem" od¬no¬sa prema generatoru takta čeone magistrale; prema tome, 3/3 odgovara DDR333 sa čeonom magistralom na 333 MHz, dok se 4/3 odnosi na brzine memorijskog generatora takta DDR400. Da biste gene¬ra¬tor takta RAM memorije podešavali u manjim intervalima, moraćete da povećavate brzinu ge¬ne¬ra¬tora takta čeone magistrale u zabravljenim koracima.

Sa druge strane, prednosti podizanja memorijskog generatora takta u sistemu AMD Athlon XP su male i daleko izmedju. U stvari, podešavanje memorijske magistrale na 400 MHz i čeone ma¬gi¬strale na 333 MHz može čak i da uspori performansu. Umesto toga, mnogo bolje rezultate postići ćete optimizovanjem vremenskih parametara za bržu memoriju u BIOS-u.

Vremenski signali veći od generatora takta magistrale

Podešavanja vremenskog uskladjenja imaju isto tako veliki uticaj na performansu RAM me¬mo¬ri¬je kao i frekvencija magistrale. Na kraju krajeva, magistrala podataka može da kapitalizuje na ve¬likom propusnom opsegu samo ako se podaci učitavaju iz čipova RAM memorije i stavljaju na ras¬polaganje dovoljno brzo. A kada se podacima pristupa u različitim zonama memorije, dolazi do čitavog niza procesa koji usporavaju protok podatraka. Memorijski vremenski signali definišu brzinu kojom se izvršavaju svi pojedinačni koraci koji učestvuju u pristupanju RAM memoriji. Više je nego vredno vašeg truda da se upustite u optimizovanje ovih podešavanja: performansa va¬šeg sistema mogla bi se povećati i do deset procenata. Pored toga, optimizovanje vaših vre¬men¬skih parametara može da ima više prednosti od povećavanja brzine genetarora takta vaše ma¬gistrale. DDR333 RAM memorija visokog kvaliteta sa brzim vremenskim signalima će nad¬ma¬šiti u performansi modul DDR400 sa vremenskim podešavanjima koja su namerno bačena u dru¬gi plan da bi se povećala brzina generatora takta.

Prvi korak kada podešavate svoju memoriju je da deaktivirate automatsku konfiguraciju RAM me¬morije. Kada je ova funkcija aktivirana, glavna ploča čita čip SPD (Serial Presence Detect) na me¬morijskom modulu, da bi dobila informacije o vremenskim signalima i brzini generatora takta i postavila odgovarajuća podešavanja. Medjutim, ta podešavanja, koja proizvodjač RAM me¬mo¬ri¬je smešta u čip EEPROM memorije, veoma su konzervativna, sve u cilju da bi se obezbedio stabilan rad na što je moguće više različitih sistema. Kod ručne konfiguracije, možete da prilagodite po¬de¬ša¬va¬nja za svoj sopstveni sistem - i u većini slučajeva moduli RAM memorije će ostati stabilni čak i ka¬da prevazidju specifikacije proizvodjača.

Ne bi trebalo ni da suviše tumačite svoja podešavanja vremenskih signala ako imate jevtine me¬mo¬¬rijske module. Pojedini proizvodjači su čuveni po tome što "seku krivine" u toku pro¬iz¬vod¬nje i brišu pogrešne vrednosti u SPD čipovima. Nesrećni kupci su onda prisiljeni da se bore sa slabom per¬formansom, ili u protivnom sistemi otkazuju a da niko ne zna tačno zašto se to dešava.

Pored podešavanja CL, važni su i drugi parametri

Najvažnija vremenska uskladjivanja RAM memorije su vreme kašnjenja CAS (CAS latency, CL), kašnjenje RAS do CAS (RAS-to-CAS delay, tRCD) i vreme prethodnog naelektrisanja RAS (RAS precharge time, tRP). Mnogi me¬mo¬rij¬ski moduli imaju specifikacije kao što su, na primer, PC2700-2.0-2-2.0 ili PC3200-3.0-3-3.0. Prvi od ovih na¬izgled nedokučivih brojeva opisuju vrstu memorije, a poslednja tri su napred pomenuta vre¬men¬ska uskladjivanja. Drugi proizvodjači jedino navode CAS kašnjenje kao CL 2.0 ili CL 3.0. Mada je ono važno svojstvo performanse, nenavodjenje ostalih parametara je velika nepogodnost za kupca jer svaki od njih ima sličan uticaj na performansu sistema.

Da biste i sami uvideli koliko je to veliki uticaj, pogledajte rezultate ispitivanja performanse za ko¬dovanje MPEG-4. Uključili smo takodje i kratak pregled najvažnijih vremenskih parametara, krat¬ka objašnjenja i savete o najboljim podešavanjima u odeljku na kraju ovog članka, pod nas¬lo¬vom "Kako da podesite svoju RAM emmoriju u BIOS-u". Ako je jasna informacija o vašoj po¬seb¬noj RAM memoriji primetno odsutna, možete da potražite odgovarajuće podatke na Internetu (pogledajte listu "Proizvodjači RAM memorija", dalje u ovom tekstu).

Da biste bolje razumeli vremenske parametre, trebalo bi da poznajete sve što je u vezi sa pri¬stu¬pa¬njem memoriji. Dijagram "Vremenska uskladjivanja RAM memorije" na slici 4 će vam omo¬gu¬ćiti opšti po¬gled kako sve to radi. Proces čitanja se započinje kada kontroler u skupu čipova matične ploče iza¬bere memorijski modul koji sadrži podatke. Kontroler adresira odgovarajući čip na modulu i po¬datke koji se u njemu nalaze. Ćelije svakog čipa su uredjene u obliku matrice i bi¬ra¬ju se ko¬ris¬te¬ći adrese redova i kolona. Svaki presek predstavlja po jedan memorijski bit.


Ako učitavate susedne podatke u okviru istog reda, jedini činilac koji oldredjuje brzinu pristupa je vremensko uskladjenje CL, zato što kontroler već zna adresu reda i ne mora opet da je ispituje. Kad god kontroler treba da adresira različite redove u čipu RAM memorije, proteći će vreme tRAS (row active time, aktivno vreme reda) dok on ne bude mogao da se pomeri sa jednog reda na dru¬gi. Vreme tRAS se povećava za vreme tRP (vreme prethodnog naelektrisanja RAS), koje je potreb¬no da bi se kola naelektrisala na viši naponski nivo. Drugim rečima, čak i brzim memorijskim mo¬dulima potrebno je najmanje sedam ciklusa da bi obavili ceo proces.

Savremeni čipovi DDR RAM memorije su još jednom podeljeni na četiri segmenta (grupe), od ko¬jih svaki predstavlja odvojenu memorijsku zonu. Preplitanje grupa dozvoljava zonama u raz¬li¬či¬tim grupama čipova da budu adresirane istovremeno, što povećava brzinu prenosa podataka. Dok se podaci čitaju iz jedne memorijske grupe, u drugoj grupi može da se adresira druga zona po¬dataka. Možete da odredite u BIOS-u koliko grupa RAM memorije čipa je moguće da se adre¬si¬ra u isto vreme. Najbrže podešavanje je "četiri".


Vrhunska performansa sa 1 ili više GBajta RAM memorije

Drugi značajan kriterijum za performansu je ugradjena količina RAM memorije. Aplikacije za ob¬radu slike i videa izuzetno povećavaju performansu kada postoji više memorije. Učitavanja po¬moću Content Creation Winstone dokazuju da sistemi Windows 2000 i Windows XP stvarno ne mogu da se razmahnu u punoj meri dok nemaju 1 ili više GBajta RAM memorije. Ispitivanja per¬formanse po¬kazuju koliko mnogo performansa sistema zavisi od količine memorije. Zaista, 512 MBajta RAM memorije je puki minimum za brze sisteme Windows XP. Davno su prošla vre¬mena Windows 98 i Windows Me, kada je 512 MBajta bila najveća količina memorije potrebna većini sistema.

Maksimalna količina RAM memorije zavisi samo od matične ploče i njenog skupa čipova. Ako že¬lite više informacija o tome, pogledajte tabelu dalje u tekstu. Medjutim, u sistemima x86 mak¬si¬malna dozvoljena količina memorije je 3,5 GBajta, bez obzira koliko RAM memorije je ugra¬dje¬no. Centralna procesorska jedinica jednostavno ne može da adresira više memorije. Preostali ka¬pacitet je rezervisan za upravljanje kolima PCI. Trebalo bi da ugradite što je moguće manje RAM memorijskih modula. Smanjivanje broja čipova na modulu će takodje poboljšati per¬for¬man¬su i stabilnost. Moduli se obično sastoje od osam ili šesnaest čipova.

Broj memorijskih modula koji koristite imaće direktan uticaj na brzinu vašeg upravljanja. Brzina upravljanja odredjuje broj ciklusa generatora takta koji je potreban memorijskom kontroleru da bi aktivirao module i čipove. Ako ste popunili sve svoje memorijske grupe, obično ćete morati da povećate taj broj sa jednog na dva ciklusa generatora takta kako biste sistem održali stabilnim. To će, nažalost, umanjiti njegovu performansu za iznos do tri procenta.

Kako da podesite svoju RAM memoriju u BIOS-u

Meniji BIOS-a matične ploče nude različita podešavanja za optimizaciju vaše memorije. Ta po¬de¬šavanja menjaju funkcije RAM memorije koje, mada osnovne po prirodi, često imaju data vrlo raz¬ličita imena. Ukratko ćemo objasniti opcije. Uobičajene vrednosti su navedene u zagradama; ide¬alno podešavanje je podvučeno.

Uključili smo i primere kako bi se podešavanja mogla zvati u različitim verzijama BIOS-a. Obratite, molim vas, pažnju na to da ne nude svi meniji BIOS-a sva podešavanja.
Automatic Configuration (On/ Off) (DRAM Auto, Timing Selectable, Timing Configuring) Ako želite da ručno konfigurišete vremenska uskladjivanja vaše memorije, biće potrebno da deaktivirate automatsku konfiguraciju RAM memorije.

Bank Interleaving (Off/2/4) (Bank Interleave) DDR RAM memorijski čipovi su napravljeni od četiri grupe. Istovremeno adresiranje sve četiri grupe pomoću preplitanja će maksimizovati vašu performansu.

Burst Length (4/ Dužina neprekidnog niza podataka odredjuje koliko se blokova podataka ša¬lje u jednom ciklusu prenosa. Idealno, jedan prenos će napuniti jedan red memorije u skrivenoj me¬¬moriji nivoa 2 koja se danas može pronaći u savremenim centralnim procesorskim jedinicama Pentium 4 i Athlon XP. To je jednako 64 bajta, ili osam paketa podataka.


CAS Latency tCL (1.5/2.0/2.5/3.0) (CAS Latency Time, CAS Timing Delay) Broj ciklusa ge¬ne¬ratora takta koji prodju od adresiranja kolone do pristizanja podatka u izlazni registar. Proiz¬vo¬djač memorije navodi najbolje postavljanje kao ocenu CL.

Command Rate CMD (1/2) (Command Rate, MA 1T/2T Select) Broj ciklusa generatora takta po¬treban da bi se adresirao memorijski modul i memorijski čip unutar željene zone podataka. Ako su vaše memorijske grupe popunjene do punog kapaciteta, biće potrebno da povećate ovu vred¬nost na dva, što će za rezultat imati značajno opadanje performanse.

RAS Precharge Time tRP (2/3) (RAS Precharge, Precharge to active) Broj ciklusa generatora tak¬ta potreban da bi se prethodno naelektrisala kola tako da se može odrediti adresa reda.

RAS-to-CAS Delay tRCD (2/3/4/5) (RAS to CAS Delay, Active to CMD) Broj ciklusa generatora tak¬ta koji prodje od kada se utvrdi adresa reda do kada se pošalje adresa kolone. Postavljanje ove vred¬nosti na dva ciklusa generatora takta može da poboljša performansu do četiri procenta.

Row Active Time tRAS (5/6/7) (Active to Precharge Delay, Precharge Wait State, Row Active Delay, Row Precharge Delay) Kašnjenje koje je rezultat kada su dva različita reda u memo¬rij¬skom čipu adresirana jedan za drugim.

Memory Clock (100/133/166/200 MHz) (DRAM Clock) Odredjuje brzinu generatora takta me¬mo¬rijske magistrale. To podešavanje se normalno odredjuje u odnosu na generator takta čeone ma¬gistrale. Tehnologija DDR (double-data rate) udvostručava brzinu podataka datu stvarnom br¬zinom generatora takta magistrale.
Nazad na vrh Ići dole
https://forumbp.editboard.com
 
Sve o RAM memoriji ! ! !
Nazad na vrh 
Strana 1 od 1

Dozvole ovog foruma:Ne možete odgovarati na teme u ovom forumu
Forum-Backa Palanka :: Racunari i ostalo :: Hardware-
Skoči na: